磁控（kòng）濺射的分類

磁控濺射包（bāo）括（kuò）很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同（tóng）點：利用磁場與電（diàn）場（chǎng）交互作用，使電子在靶表麵附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子（zǐ）的概率。所產生的（de）離（lí）子在電場作用下撞向靶麵從而濺射出靶材。

1、靶源不同

靶源（yuán）分（fèn）平衡式和（hé）非平衡式，平衡式靶源鍍膜均（jun1）勻，非平（píng）衡式（shì）靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用於半導體光學膜（mó），非平衡多用於磨損（sǔn）裝飾膜。

2、磁場位形分布不同

根據磁控陰極按照磁場位形分布不同，大（dà）致可分為平衡態磁控陰極和非平衡態磁控陰極。平衡態磁控陰極（jí）內外磁鋼的（de）磁通（tōng）量大致相等，兩極磁力線v閉合於靶麵，很好地將電子/等離子體約束在靶麵附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在（zài）較低的工作氣壓和電壓下（xià）就能（néng）起輝並維持輝光放電（diàn），靶材利用率相對較高。但由（yóu）於電子沿磁力線運（yùn）動主（zhǔ）要閉合於靶麵，基片區域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術，即讓磁控（kòng）陰極外磁（cí）極（jí）磁通大於內磁極，兩極磁力線在靶麵不完全閉合，部分磁力線可沿（yán）靶的邊緣延伸到基片區域（yù），從而部分（fèn）電子可以沿著磁力線擴展（zhǎn）到基片，增加基片區域的等離子體密度（dù）和氣體電離率。

不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其（qí）磁場特性決定（dìng）了一般靶材利用率（lǜ）小於30%。為增大靶（bǎ）材利用率，可采用旋轉磁場。但（dàn）旋轉磁場（chǎng）需要旋轉（zhuǎn）機構，同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用於大型或貴重靶，如半導體膜濺射。對於小型設備（bèi）和一般工業設備（bèi），多用磁場靜止靶源。