磁控濺射的分類

磁控（kòng）濺射包括很多種類。各（gè）有不同工作原（yuán）理（lǐ）和應用對象。但（dàn）有一共（gòng）同點：利用磁場與電場交互作用，使（shǐ）電子在靶表麵附近成螺旋（xuán）狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子的（de）概率（lǜ）。所產生（shēng）的離子在電場作（zuò）用下撞向（xiàng）靶麵（miàn）從而濺（jiàn）射出靶材。

1、靶源不同（tóng）

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜（mó）均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層（céng）和基體結合力強（qiáng）。平衡（héng）靶源多用於半導體光學膜，非平衡多用（yòng）於磨損裝飾膜。

2、磁場（chǎng）位形分布不同

根據磁控陰極按照磁場位（wèi）形分布（bù）不同，大（dà）致可分為平衡態磁（cí）控陰極和非平衡態磁控陰極。平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁（cí）力線v閉合於靶麵（miàn），很好（hǎo）地將（jiāng）電子/等離子體約束（shù）在靶麵附近，增（zēng）加了碰（pèng）撞幾率（lǜ），提高了離化效率，因而在較低的工（gōng）作氣壓和電壓下就能起輝並維持輝光放電，靶材（cái）利用率相對較高。但由於電子沿磁力線運動（dòng）主要閉合於靶麵，基片區域所受（shòu）離子轟擊較小。非平衡（héng）磁控濺射技（jì）術，即讓磁控陰極（jí）外磁極磁通大於內磁（cí）極，兩極磁力線在靶（bǎ）麵（miàn）不（bú）完全閉（bì）合，部（bù）分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區（qū）域，從而部分電子可以沿著磁力線（xiàn）擴展到基片，增（zēng）加基片區域的等離子體密度和氣體電離率。

不管（guǎn）平衡還是非平衡，若磁鐵靜止（zhǐ），其（qí）磁場特（tè）性決定了一（yī）般靶材（cái）利用率小於30%。為增大靶材利用率（lǜ），可采用旋轉磁場。但旋轉磁場（chǎng）需要旋轉機構，同（tóng）時濺射速率要減小。旋（xuán）轉磁場（chǎng）多用於（yú）大型或（huò）貴重靶，如（rú）半（bàn）導體膜濺射。對於小（xiǎo）型設備和一般工業設備，多（duō）用磁場靜止靶源。